为什么本征半导体的电导率低于非本征半导体
来源:学生作业帮 编辑:搜狗做题网作业帮 分类:物理作业 时间:2024/08/14 07:43:20
为什么本征半导体的电导率低于非本征半导体
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我以N型半导体给你举一个例子:
单位体积的硅原子数为10^22cm^-3,若杂质含量为10^-4(万分之一),则杂质原子浓度为10^18cm^-3.在常温下,杂质能级上的电子即使只有十分之一被激发到导带中,其浓度也为10^17cm^-3.而常温下硅的本征载流子浓度只有10^10cm^-3的量级.可见N型半导体中多数载流子是电子,而少数载流子是本征载流子(电子空穴对).
可见,在室温附近,许多元素半导体本征载流子为数极少,所以本征半导体电阻仍很高.而在同一温度下,掺杂半导体的导电能力为本征半导体的数百倍及其以上.
单位体积的硅原子数为10^22cm^-3,若杂质含量为10^-4(万分之一),则杂质原子浓度为10^18cm^-3.在常温下,杂质能级上的电子即使只有十分之一被激发到导带中,其浓度也为10^17cm^-3.而常温下硅的本征载流子浓度只有10^10cm^-3的量级.可见N型半导体中多数载流子是电子,而少数载流子是本征载流子(电子空穴对).
可见,在室温附近,许多元素半导体本征载流子为数极少,所以本征半导体电阻仍很高.而在同一温度下,掺杂半导体的导电能力为本征半导体的数百倍及其以上.