NMOS开关电路的仿真问题
来源:学生作业帮 编辑:搜狗做题网作业帮 分类:物理作业 时间:2024/08/06 20:30:54
NMOS开关电路的仿真问题
用Cadence仿真了一个基本的NMOS电路,电路和仿真结果如下图 (net6的曲线是Vs,最上面那条线是C正端的电流曲线).Vg在正负5V之间,等于在0.45ms时由-5V到5V,开关打开,Vs=Vd(Vd设定在正负3V之间的方波,t=0.5ms时从-3跳变到+3V),+3V时电容充电.不明白的是当Vg=-5V的时候Vs上的值是怎么回事.按照一般的理解开关关闭相当于断路,电容不会保持原来的电压值么?就算有泄漏电流,也不应该和充电时的电流相等,电压应该下降很小才对,但是从第一条电流曲线来看它开关开启和关闭时它的电流都差不多,电压一下子降到-2.32V,还是很接近此时的Vd.为什么会这样呢?
我这个仿真的目的其实就是想看泄漏电流的大小,这样子根本就不对.
其实就是一个开关的说,gate上用一个方波(低电压关闭,高电压开启),drain上用一个方波,开关开启的时候D,S接通,source的电压就等于drain上的,加在C上给它充电.开关关闭的时候我想要看C的泄露电流
![](http://img.wesiedu.com/upload/7/5c/75cc3e91b34efd8e6a332d9169cfcde8.jpg)
用Cadence仿真了一个基本的NMOS电路,电路和仿真结果如下图 (net6的曲线是Vs,最上面那条线是C正端的电流曲线).Vg在正负5V之间,等于在0.45ms时由-5V到5V,开关打开,Vs=Vd(Vd设定在正负3V之间的方波,t=0.5ms时从-3跳变到+3V),+3V时电容充电.不明白的是当Vg=-5V的时候Vs上的值是怎么回事.按照一般的理解开关关闭相当于断路,电容不会保持原来的电压值么?就算有泄漏电流,也不应该和充电时的电流相等,电压应该下降很小才对,但是从第一条电流曲线来看它开关开启和关闭时它的电流都差不多,电压一下子降到-2.32V,还是很接近此时的Vd.为什么会这样呢?
我这个仿真的目的其实就是想看泄漏电流的大小,这样子根本就不对.
其实就是一个开关的说,gate上用一个方波(低电压关闭,高电压开启),drain上用一个方波,开关开启的时候D,S接通,source的电压就等于drain上的,加在C上给它充电.开关关闭的时候我想要看C的泄露电流
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会不会是mos管DS间的寄生二极管将电放掉了,我猜,其实图我不是看的很懂,很少见这样接.
你看看一般的mos 管手册,上面会有一个并联二极管的,我推测是那个管将C上的点灌回到右边的电源了.就放掉了.
你看看一般的mos 管手册,上面会有一个并联二极管的,我推测是那个管将C上的点灌回到右边的电源了.就放掉了.