以N型MOSFET为例,画出相应的I-V特性曲线,即IDS与 VDS,VGS的关系,并标出MOSFET的线
来源:学生作业帮 编辑:搜狗做题网作业帮 分类:综合作业 时间:2024/08/05 15:43:21
以N型MOSFET为例,画出相应的I-V特性曲线,即IDS与 VDS,VGS的关系,并标出MOSFET的线
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由题知,k,b异号
设y=kx+b交CB于D,交OA于F,则当y=4时,kx+b=4,可得x=(4-b)/k,所以D的坐标为((4-b)/k,4),亦可得E(-b/k,0),则CD=(4-b)/k,OE=-b/k,所以四边形CDEO的面积为
(((4-b)/k+(-b/k))*4)/2,又四边形OCBA的面积为(4+6)*4/2=20,四边形CDEO的面积为四边形OCBA的面积的一半,所以四边形CDEO的面积为10,即:
(((4-b)/k+(-b/k))*4)/2=10,
得b=(4-5k)/2,所以要看k的取值范围,若k的取值范围仅为不等于0的任意实数,则b的取值范围就为满足b=(4-5k)/2的一切实数
换句话说,就是若k不等于0,则b不等于2
设y=kx+b交CB于D,交OA于F,则当y=4时,kx+b=4,可得x=(4-b)/k,所以D的坐标为((4-b)/k,4),亦可得E(-b/k,0),则CD=(4-b)/k,OE=-b/k,所以四边形CDEO的面积为
(((4-b)/k+(-b/k))*4)/2,又四边形OCBA的面积为(4+6)*4/2=20,四边形CDEO的面积为四边形OCBA的面积的一半,所以四边形CDEO的面积为10,即:
(((4-b)/k+(-b/k))*4)/2=10,
得b=(4-5k)/2,所以要看k的取值范围,若k的取值范围仅为不等于0的任意实数,则b的取值范围就为满足b=(4-5k)/2的一切实数
换句话说,就是若k不等于0,则b不等于2