题目三极管作为开关时工作区域是

这么简单的问题你还在问,从题的意思都看的出来,我告诉你算了.三极管做开关状态的时候分别工作在饱和区和截止区.当工作在开的时候,它就是在饱和区,当工作在关的时候,它就工作在截止区.想也想的到嘛.

是否能达到开关状态,不仅仅要看基极电流,还要看你所要接通的集电极电流大小以及晶体管的β,如果Ic/Ib小于晶体管的β,饱和了,反之不饱和.就像你用1.5mA基极电流,假设β为100,集电极电流被放大到

说简单一点,开关导通就相当是导线联通,这是最大电流的情况,当然仍何器件的驱动能力也没过与此,半导体器件有它的极限值,不可能真正的像一根导线.你只用把它想象成是受单片机控制的开关,就好比一般的开关是受人

1VC=6VVB=0.7VVE=0V工作在放大区域.发射结正偏,集电结反偏.2VC=6VVB=2VVE=1.3V工作在放大区域.发射结正,集电结反偏.3VC=6VVB=6VVE=5.4V工作在饱和区.

做开关用应该是两种状态,截止和饱和.感性负载要考虑接通瞬间的冲击和关断瞬间的反电势吸收保护

——★1、三极管用作开关管使用时,它的基极偏置电流相对较大一些,三极管处于导通状态,发射极与集电极之间的电压降很低,而不是放大状态.——★2、三极管用作开关管使用时相当于开关,发射极是否有电流流向集电

以NPN型三极管接成的共发射极电路为例,只有在饱和状态下才能确保输出低电压,只有在截止状态下才能确保输出高电压,在放大区是高低电压都有可能的,所以在开关电路中三极管不能工作在放大区.Vbe=2.8V,

截止状态当加在三极管发射结的电压小于PN结的导通电压,基极电流为零,集电极电流和发射极电流都为零,三极管这时失去了电流放大作用,集电极和发射极之间相当于开关的断开状态,即为三极管的截止状态.开关三极管

集电极限流电阻根据你的需要来确定（饱和时三极管压降很小,0.1V左右）；三极管饱和时的集电极电流除以三极管放大倍数就是基极电流,算出基极限流电阻即可.一般基极电阻适当小一些,确保三极管进入饱和状态.

三极管都已有它自己的开关频率特性,这个特性外界改变不了,在管子符合这个电路的频率后,我们只能提高管子的开关瞬时性,即提高开与关的速度,缩短波形上升沿和下降沿的时间,不让管子在开与关转换时进入放大状态,

以下以NPN管为例：三极管做开关应用的电路是：电源正极－－负载－－三极管C极－－三极管E极－－电源负,把三极管的C-E极之间看成是一个开关.三极管饱和时,C-E看成短路即开关通,截止时看成断路.要让三

开关状态是指电阻为零的状态,即电路完全导通.R1需要拆掉,计算出灯的电流.如果通过R2的电流乘以8050的放大倍数,大于或等于灯的电流,即为开关状态.即可以完全导通.实际上加在灯上的电压不可能是24V

三极管基极电1V以上就能达到饱和导通,小于0.7V则截止,以此为依据选择限流电阻值.再问：不用考虑电流么？那查看一些开关管的芯片手册时，上面最大饱和压降那些参数，不用靠它来计算吗？再答：三极管基极电压

三极管作为开关时其工作在饱和状态,这时三极的放大倍数在20倍左右.一般是用NPN三极管,应根据所需的电流来选择基极的电阻,电阻太小了功耗大（浪费电）,电阻大了达不到所需的电流.电阻=V（电源电压）*2

负载放在集电极是共发射极电路,具有电流、电压放大能力.优点是三极管的饱和压降小,在同一电源下继电器得到的电压较高,还可以选用不同的电源电压以适应各种继电器.负载放在发射极是共集电极电路（射极跟随器）,

R3给50K1/8W,使Ib=0.5mA；9014放大在20到90倍.保险计算只放大到20倍,则集电极电流的最小值Ic=10mA；故想让9014饱和,你的集电极电流的MAX值就是10mA了；若Vcc=

是过饱和,而且过饱和状态稳定.临界状态的意思就是给点触动就会变化,当然不稳定的.

三极管工作在饱和态时,发射结正偏,集电极正偏.以NPN三极管为例,饱和态时,发射结正偏,使发射区的多数载流子自由电子越过发射结,部分与基区的空穴复合形成基极电流IB,而集电极正偏,使集电区的多数载流子

三极管的集电极电流,随基极电流增加而增加,三极管工作在放大状态.不再随基极的电流增加而增加了,这时三极管工作在饱和状态（开关状态）.

干吗这么关注这些名词呢?Vgs和Id有一定的曲线关系,当MOS管可以驱动的电流大于负载需要的电流,电流不再增加,就是饱和了.就好比三极管的Ic和Ibe有比例关系.最终只要知道电压电流关系就可以,至于半