PWM驱动MOS管,mos管发热严重

这个主要是看你用在什么上面,然后根据你的应用选择参数.一般来说,考虑的参数是Vds,Ids以及Rds这三个,还有有的会考虑Ciss这个参数的,希望能帮到你.还有其他疑问的话,可以选择追问再问：Vgs怎

讲解这个很费功夫,我上次仔细讲解了一个,花了很多时间,后来他忘了关闭问题,结果,悬赏的100分,被另一网友投票拿走了.（拿到100分的“知友”仅仅提供了一灌水答案“OK”）再问：谢谢，不过你等于没讲，

Vgs代表开启电压

内置MOS就是在IC内部已经有MOS管,使用时在外部不需要再加,外置MOS就是内部没有MOS管,只是一个MOS驱动输出,在外部一定要加MOS才可以使用.再问：你是做电源行业的吗再答：不是，我是做工程的

二者区别没有那么绝对,很多mos管既可以工作在线性状态,又可以工作在开关状态.只不过开关mos管为开关的工作方式做了优化,主要是能支持比较高的开关频率.

这个有时间限制,和集电结烧毁能量有关.导线载流量一般指安全载流量,具体烧断电流和散热、持续时间有关.这个参数,只说明这个器件可承受短时最大电流,而不是工作电流,供设计可靠性时参考.

MOS的工作频率怎么那么高呢如果只是PWM波的频率不可能那么高你应该测试一下驱动的最佳工作频率我遇到的一般都在20k以下H桥的半桥驱动和桥的地一般是共地的因为电机的转速改变和正反切换都会引起干扰较大一

是一上电就炸还是老化的时候炸?这个要知道了才可以分析,我是专业设计生产LED驱动电源的厂家,有什么问题可以随时交流.再问：谢谢.是在老化时炸,,冲的时候把限流电阻炸了再答：冲的时候把限流电阻炸了？不太

MOSFET的开关作用是针对MOS特性得出的,MOS管输出特性曲线有可变电阻区、夹断区和恒流区,当在可变电阻区和夹断区内工作时,MOS管相当于一个电子开关.MOS管驱动电路跟MOS本身没有必然联系,因

这个没有定数,RG一般在10-100欧之间,RT在2.7K---10K之间,和输出功率以及MOS有关.因为每种型号的MOS的结电容都不一样,虽然MOS是电压驱动元件,但是还是需要电流的,所以高结电容容

1.Q5为NMOS管,R12为限流电阻（或是偏置电阻）,源漏之间的二极管为保护二极管.2.源极接地,电压为0,当栅极（即图中右眼驱动1）的电压大于开启电压Vth（一般为0.7V）时,就可在源漏之间形成

三极管,也称双极型晶体管,与MOS管的区别：1、外观：主要是看上面的印字,再查到该型号的资料就知道它是什么东东了!2、三极管其主要特征是有2个背靠背的PN结,而MOS管则没有PN结,所以用万能表很容易

缓冲电阻,针对栅极控制信号的.根据MOS管的栅极电容和工作频率来选择,一般在4.7欧到100欧之间.一般MOS管资料内也会有个相应的栅极串入电阻参考值.想深入了解的话建议去看看IR公司的关于MOS驱动

阈值电压受衬偏效应的影响,即衬底偏置电位,零点五微米工艺水平下一阶mosspice模型的标准阈值电压为nmos0.7vpmos负0.8,过驱动电压为Vgs减Vth

没有变化的,或者说变化不大.G-S并电阻是为了保护MOS,从线路原理上说是不用加的,但实际的经验是要加的,一般是10K-56K,10K用得最多

占空比不变,频率降低,对于PWM波来说,输出的有效值并没有降低.MOS是电压控制器件,既然栅极的电压和电路其他器件没有变化,导通电流有什么理由变化呢?

加个470K左右试试,具体原因我也不是很清楚.我用irlml6402时,通过测试选用了470K的电阻.如果楼主知道了原因麻烦也告诉小弟一下,------------------------------

mos管驱动电阻烧了,说明这个管子已经击穿损坏了（管子正常的话这个驱动电阻是不可能烧的,mos管是电压驱动型器件）,再通电的话就可能会炸.再问：不是的，我后好直接把管子的删极电阻去掉，一加310DC电

CMOS电路组成是以PMOS管作为驱动管,以NMOS管作为负载管.CMOS电路指互补金属氧化物(PMOS管和NMOS管)共同构成的互补型MOS集成电路制造工艺,它的特点是低功耗.由于CMOS中一对MO

管子选对了没?MOS管的驱动不是很简单就可以完美驱动的建议选TIP35或者其他三极管试下,另外选P沟MOS管或许好一些.删级加个下拉电阻看看.