pn结反向偏置

发射结正向偏置,集电结也正向偏置：饱和状态（集电极电流不受基极控制,只与发射极与集电极电压大小有关）.发射结反向偏置,集电结正向偏置：应该是放大状态（从材料NPN,PNP上看,是对称的,所以发射结反向

首先要知道：保证管子能正常工作的前题是BE结加正向电压BC结加反向电压,然后1.发射区向基区扩散电子,2.电子在基区边界扩散与复合,空穴由外电源补充,维持电流.3.电子被集电极收集.改变基极电流就可以

你想问什么的?是普通二极管还是稳压二极管,至于电流大不大你应该好好的去看看它们的伏安特性曲线

集电结反偏应该是截止状态啊.怎么会是放大状态再问：有相关的文档吗再答：。。任何一本模电书都有讲。或者你百度一下三极管的工作状态。百度文库第一篇就有再答：。。。不过。我刚刚看了一下我好像记错了。再问：哦

因为半导体本身也是能够导电的,PN结的反向电流其实就是半导体的导电电流罢了.不过导电性能非常差,不过比一般的绝缘体导电性能还是要强的.反向电流是毫安级别的.而导通的电流一般是用A作为单位的.

因为PN结的内电场是靠近P区积累负电荷,靠近N区积累正电荷.当加正向电压时,即P区加正,N区加负,在电场力的作用下,有利于P区的多子——空穴,向N区方向移动,使P区的负电荷层靠近P区的部分重新获得空穴

多子和少子都是指载流子.在P型半导体材料中,空穴多,自由电子少,空穴是多子自由电子是少子；在N型半导体中正好相反,自由电子是多子,空穴是少子.也有说成“多数子、少数子”的,还有叫做“多数载流子、少数载

半导体物理、模拟电路等书上都有的,要说明白这个问题,要用到图啊什么的,比较麻烦,如有需要我传个pdf的书给你.二极管的单向导通,是因为正向开启很小,约0.0.7V,而反向导通电压（也就是击穿电压）要到

摘抄如下：正偏时,空间电荷区变窄,电位壁垒随之降低,将有利于多数载流子的扩散运动,而不利于少数载流子的漂移运动.因此,扩散电流将大大超过漂移电流.反偏时,空间电荷区变宽,电位壁垒随之升高,将有利于少数

选D三极管工作在饱和区时,发射结和集电结都处于正向偏置状态.

首先理解pn结形成后的电荷状态吧.在电荷区靠P区的是聚集负电荷,在电荷区靠N区是聚集正电荷.此时,电荷区的内部电场方向是由N区指向P区.当PN结正向偏置时,即给PN结加由P区指向N区的正向电压,那么这

正向导通,在升压过程中,存在电流随电压线性相应区域,超出线性电压上限,出现非线性电流,反向截止不过有个截止电压,在截止电压之下,只存在漂移电流；当反向电压超过节内建场电压是,则节被击穿.

P区是空穴导电,加上相反电压,相当电子从P区进入,电子进入P区会填入空穴,使导电微粒（载流子）减少,PN结加宽,在PN结中,N区的自由电子填入了P区的空穴,使得PN结中导电粒子很少,电阻很大.P区电子

可以用单向阀来理解,当水正向通过的时候,阀门打开,水流很大,当水反向过来的时候,阀门闭合,但也有极少量的水渗漏过去.反电压就是如此,增加了内电场相当于关闭阀门,电流过不去,而通过少子漏过去的电流太小,

1.正向电压加在PN结上,PN结导通,反向电压加上后,PN结截止；2.二极管的基本结构也是一个PN结,存在导通电压的问题,即正向电压大于一个值的时候才会导通,否则就截止,一般硅二极管为0.7V,锗二极

一个PN结就是二级管,正向偏置就是万用表测两次,其中一次电阻较小的是正向偏置,反之就是反向偏置.

PN结分为四个区,正向导通区,死区,反向截止区,反向击穿区,正向导通,反向截止,是PN结的一个很重要的特性,是本身就有的.

很小,导通,很大,截止

这是PN结的单向导电性.当PN结正向偏置时,电阻很小,处于导通状态；当PN结反向偏置时,电阻很大,处于截止状态.所以这句话是对的.再问：很小和小，很大和大有区别吗再答：基本没区别。。。

P端所加电压比N端高且要高与死区电压则为正向偏置,N端所加电压比P端高,在保证不击穿的情况下为反向偏置,单向导电为只有正向偏置的时候导通!