PNP三极管UBE与IB关系

其实Ube是会变化的,但是变化量非常的小,Ib的电流变化也非常的小,为了简化分析,故认为Ube不变,但是尽管Ib变化很小,但由于三极管处于放大区,从而导致集电极有较大的变化电流,Uce也会跟着变化.再

Ube=Ub-UeUbc=Ub-UcPNPUbc=-0.2-(-5)=4.8VUbe=-0.2-0=-0.2VNPNUbc=2-0=2VUbe=2-6=-4V(实际电路中,这个电压是不可能的,原因很简

先回答你的题目：做题目过程中,为了简化,一般假设这个值恒定为0.7V.实际上不是,随着BE电流增大（其实也就是基极电流Ib）UBE的电压也会适当增加,但偏差不大.（下面以国内最经典的模电书,童诗白的那

你看错了吧,当IB不变时UCE增大IC增大

三极管的工作原理及基础知识1三极管的结构和分类其共同特征就是具有三个电极,这就是“三极管”简称的来历.通俗来讲,三极管内部为由P型半导体和N型半导体组成的三层结构,根据分层次序分为NPN型和PNP型两

分析了一下,iie2010说的确实有道理,你参考模电,自己分析一下就知道了

三极管输入特性曲线是反映ib与ube的变化关系,你说的uBE总是在0.7左右,是指在正常的放大状下,但ube可以在0V-0.7V之间变化呀.你强行在uBE两端加上电压2v,那三极管就立即烧坏了,还谈什

如果是单级交流耦合的电路,就把本级电路上下翻转,然后把npn换成pnp即可；其他的计算等,同npn一样的；

PNP三极管导通条件是当给它通电时（通电如何通你知道么,就是E加电源电压,如5V,C极过一限流电阻接地）,那么如果你给控制端即B极一个低电平,此时就可以导通,导通电压（即CE间电压）至少小于0.2V,

万用表接基极和发射极然后换方向看电流方向就可以了

温度对三极管参数的影响几乎所有的三极管参数都与温度有关,因此不容忽视.温度对下列的三个参数影响最大.（1）对β的影响：三极管的β随温度的升高将增大,温度每上升l℃,β值约增大0.1％,其结果是在相同的

根据三极管的外形来判断1.一般说来,PNP型三极管的外壳比NPN型高得多.另外,NPN型三极管外壳上有一个突出标志,根据这些不同就可以把它们区分开来.2.用万用电表的欧姆挡来判断根据等效电路的不同,就

1、（锗管）饱和状态.2、截至状态.你的参数如果按正常的计算方法是缺参数的,比如B值（管子的电流放大倍数）没有给出,回流电压及电阻都没有给,有了这些东西才能进行理论分析.只能靠经验分析,尤其是第一个.

在放大区时,Ube是不变的,恒定约为0.7V,三极管为流控型器件,ib变化不是三极管本身的原因,是外加电路引起的,常见的三极管的ib为μA级……

根据三极管的外形来判断1.一般说来,PNP型三极管的外壳比NPN型高得多.另外,NPN型三极管外壳上有一个突出标志,根据这些不同就可以把它们区分开来.2.用万用电表的欧姆挡来判断根据等效电路的不同,就

类似二次曲线Ib=（Ube-0.4）×（Ube-0.4）.

当不考虑少子运动时,Ic=βIb,当考虑少子运动时Ic=βIb+Iceo.不过少子非常少可忽略不计,其实在实际中β是通过测量出来的,为了精确一点就把少子算进去,形成一个较为精确的式子.这是我个人的理解

晶体三极管,是半导体基本元器件之一,具有电流放大作用,是电子电路的核心元件.三极管是在一块半导体基片上制作两个相距很近的PN结,两个PN结把正块半导体分成三部分,中间部分是基区,两侧部分是发射区和集电

进入饱和后Ic不受ib的控制了,晶体管不具有放大作用.Ube=0.6-0.7v、Uce

白噪声发生器,用三极管和电阻加电压能实现,但要输出固定频率的振荡器,这两个条件达不到.（别谈寄生电容哈,未必能真正振荡得起来）