电路如图所示,晶体管β=100,UBE=0.7V

图呢.

静态工作点等于33μA（基极静态电流）；交流电压增益Au等于-3；输入电阻Ri等于60kΩ；输出电阻Ro等于3kΩ；Ui等于9.677mV（有效值）,Uo等于29mV（有效值）.因为你没有确定交流信号

分析：T1为电流串联负反馈共发射极电路,T2为射极跟随器,故2管放大倍数就为T1的放大倍数.1、Au=-79*6000/(1000+80*300)=139.4=1402、Uo=10*140=1400m

（1）这是共集电极放大器,又叫射极输出器.（2）电压增益=(1+β)(5//5)/[rbe+(1+β)(5//5)]=101*(5//5)/[2.5+101*(5//5)=252.5/255=0.99

你问Ubeq如何得知的,那么这个是根据三极管的材料决定的,若是硅材料的三极管,Ubeq≈0.7V,若是锗材料的三极管Ubeq≈0.3V.另外,Q点的求根据分压原理,UB=Vcc*Rb1/(Rb1+Rb

注意流过Rb电阻和流过的Re电阻的电流不同,两者相差（1+β）倍.IbRb+Ib(1+β)Re=Ucc-UbeIe=(1+β)IbUce=Ucc-IeRe根据三条公式可分析出三极管的工作方式截止状态：

A)为饱和状态B）截止状态C）放大状态再问：(a)和(c)怎么计算的啊再答：A)β=501K电阻折算为50K则Ib=(12-0.7)/(10+50)=0.1883mAIc=Ib*50=9.4mA2K电

1、静态工作点：VB＝Ube＝0.7V,Ib＝(Vcc－Ube)/Rb＝(12－0.7)/450＝0.025mA,Ic＝阝Ib＝100x0.025＝2.5mA,Uce＝Vcc－RcIc＝12－3x2.

三极管放大状态：Uc>>Ub>Ue,Ub-Ue=0.7V(锗管0.3V）NPN管Uc<<Ub<Ue,Ub-Ue=-0.7V(锗管-0.3V),PNP管第二个电压看不

1）Re=Ue/Ic=2k；Rc=(E-Uce-Ue)/Ic=2k;2）基极偏置电路总电流,取基极电流的10倍；则：Ib=Ic/50;(Rb1+Rb2)*Ib*10=ERb2*Ib*10=Ue+0.7

Au=Uo/Ui=-(β*(Rc//RL))/rbe=-80*2.5/1=-200Ri=Rb//rbe=rbe=1KRo=Rc=5KAui=Au/Ai=Au*Ri/(RS+Ri)=-200/3=-66

答案是放大区么?我也在看模电~可以讨论讨论哈~Ube=0.7=Vcc-Ib*Rb,所以Ib=0.0000143A又因为Ic=贝特*Ib=30Ib所以,Uce=Vcc-Ic*Rc=4.57V所以BE正偏

分压比α=Rb2/(Rb1+Rb2)=24/(51+24)=0.32基极偏置电源等效电动势Ub=αUcc=0.32×12V=3.84V基极偏置电源等效内阻Rb=Rb1//Rb2=24×51/(24+5

Ie=[(5/30)*12]-0.7/(300+1000)=1mArbe=rbb'+(1+β)26/Ie≈200+100*(26/1)=2.8K

静态工作点根据电路图的直流通路来算,IBQ~VCEQ~IEQ；电压放大倍数：先根据电流放大系数求出输出电压和输入电压,最后求Av；输入输出电阻要根据电路图来画小信号模型,然后计算怎么说,你没图啊

1、静态时,ui=0,Ee=Ib*R1+Ube+(RW/2+Re)*Ie,因为Ib很小,Ube=0.6——0.7v,RW=100Ω,∴Ee=Ie*Re≈E=15v,Ie=Ie1+Ie2=E/Re=15

基极电流=（15-0.7）/475K=0.03mA集电极电流=基极电流*β=0.03mA*50=1.5mAUCEQ=15V-3K*1.5mA=10.5V

Ib=Vcc/Rb=12/565=0.02123mAIc=β*Ib=2.123mAVce=Vcc-Ic*Rc=12-3*2.123=5.631VRi=Rb//rbe=rbe=1KΩRo=Rc=3KΩA

BJT晶体管的三个电流,绝对值最小的那个是基极电流,最大的那个是发射极电流,居间的是集电极电流.这里①脚电流绝对值为|I1|=1.2mA,居于另外两个0.02mA和1.22mA之间,故①脚为C集电极

1、静态工作点：IB＝Ucc/RB＝0.05mA,Ic＝阝IB＝2mA,UCE＝Ucc－IcRc＝6V；2、电压放大倍数：Au＝－阝(RL//Rc)/rbe＝－100.