放大电路中测的三极管三个电级

RB是三极管的基极偏置电阻,它的作用是为基极一个小的电流,即提供一个合适的工作点,如果没有这个电阻,那么静态工作点将建立不起来,从而造成三极管也工作不了.RC是集电极负载电阻,它的作用是给三极管提供一

这个信号应该是基极高电平的时候.三极管导通,IO拉低为低电平.基极为低电平的时候,三极管截止,IO输出的高电平.不是放大电路

输入端和输出端不是都有正负极么,你看他们公共端接的是集电极还是基极还是发射极就可以了再问：那这个公共端是指的正极还是负极再答：输入输出的正极不可能会连在一起的啊，连在一起就出问题啦，只有负极，也就是接

很明显,选D解析：硅（Si）的管压降0.7V,锗（Ge）的管压降0.3V.从数值可以看出3.2-2.5=0.7V,所以B、D中选,再者另一极点电位为9V,是集电极电位,所以是NPN型三极管,发射极电位

这是一个锗管,因为有0.2V的基极差值,根据三极管工作原理,放大状态时,PNP型管电压情况是UcUe;所以你的三极管是PNP型,且0V是B极,-6V是C极,0.2V是E极

看不清楚,这样你用语言说吧.比如1脚到2脚4V.再问：脚1到脚2为6V，脚2到脚4为5.3V，请你说一下它是NPN还是PNP就好了，详细点再答：是NPN的硅管。脚1是E，脚4(应该是3脚吧）是E，脚2

晕了,这个题怎么好多人问呢?难道很难吗?技巧：找出电位最低的（-10V).所有电位加+10.就变成了10,0,0.7V锗管的基极导通压降小于0.3.硅管高于0.7V.NPN管B比E高0.3或者0.7.

锗,PNP.

首先找电压差约为0.7或者0.3V的两个电极,这两级是基极或者发射极,若为0.7则为硅管,0.3则为锗管,然后观察剩下的那个集电极,若比这两个电极电压低就是PNP管,若高就是NPN管.所以你描述的是N

A发射结正偏,集电结反偏,0V为集电极,-10V为发射极,-9.3V为基极,VBE约等于0.7V,硅管共集电极放大电路.

Ce是旁路电容,它使得Re只对直流信号有负反馈,对交流信号无负反馈,目的是既达到稳定静态工作点,又不至于使交流放大倍数下降.这个电容一般是有极性的电解电容.对于这个电路的理解,要主意到它是交流放大电路

锗管,NPN,8V端集电极C,5,3V端基极B,5V段发射极E.分析如下：1.根据测得几个电压均是正值说明管为NPN管,2.根据其中两端间压差为,0.3或0.7其中之一说明两者是基极和发射极,是0.3

gg1:Rb=(12V-0.7V)/0.02mA=565KΩ因为Ic=0.02μA*100=2mA所以Rc=6V/2mA=3kΩ2:电压放大倍数A=0.6V/5mA=120倍带上负载后的U0=1/2*

共射放大电路既有电压放大也有电流放大.共集电极也叫射极输出器,电压不放大,电流放大；共基极也叫电流跟随器,电压放大,电流不放大.其实所谓放大,准确说应该是利用输入信号的变化规律控制电源的能量,把电源能

共射放大电路集电极极性和基极相反,共基极电路,集电极和发射机极性相同

1.5mA/30uA=50

选B,这道题就是考三极管放大的外部条件——集电极反偏,发射极正偏.所以集电极的电压应该是5V,基极电压应该为1.3V,发射极1V.因为基极与发射极之间还有一个PN结,压降应该为0.3V,为锗管.硅管为

是的,正确,因为这时候RL'减小了!

1.管型是NPN型的,2.①②③分别是基极,集电极,发射极.3.硅材料的.因为硅材料的三极管每个PN结的正向电压为0.7V(3.1-2.4=0.7).NPN管的基极电压比发射极高0.7V可判断基极和发

要看三极管是PNP还是NPN的,根据管子极性可以确定电流方向.再问：用NPN说明就好了，PNP一个道理。我就不知道等效电路的受控源电流方向怎么标的而已。多个管子复合的时候感觉等效电路受控源电流的方向没