放大电路三极管各极电位关系

这个三极管是NPN型,其中基极（b）电压为2V,集电极（c）电压是6V,发射极（e）电压是2V.理由是：NPN型三极管的正常工作状态下,必须保证Uc>Ub>Ue,且Ub-Ue=0.7V.如果是PNP型

C1C2是耦合电容把交流信号耦合进来隔离直流信号r1,r2为偏执电阻

当U1=3v时IB=(U1-Ube)/Rb=15uA小于IB一撇所以处于饱和状态···怎么个情况---------------现在应该是放大状态,当大于IB一撇时,才是饱和状态.

类型npn电极BCE

很明显,选D解析：硅（Si）的管压降0.7V,锗（Ge）的管压降0.3V.从数值可以看出3.2-2.5=0.7V,所以B、D中选,再者另一极点电位为9V,是集电极电位,所以是NPN型三极管,发射极电位

C答案,这个管子是NPN型管三极管的Ube=0.7V,所以Ub=2.7V,Ue=2V,则Uc=6V.

这是一个锗管,因为有0.2V的基极差值,根据三极管工作原理,放大状态时,PNP型管电压情况是UcUe;所以你的三极管是PNP型,且0V是B极,-6V是C极,0.2V是E极

晕了,这个题怎么好多人问呢?难道很难吗?技巧：找出电位最低的（-10V).所有电位加+10.就变成了10,0,0.7V锗管的基极导通压降小于0.3.硅管高于0.7V.NPN管B比E高0.3或者0.7.

三极管在工作中被放大的交流信号需要加上一个比交流信号本身大很多的直流分量（直流电）,使得“交流信号”始终是“正向”的.然后再利用滤波装置把放大后的信号中的直流成分给过滤掉.这个加上去的直流部分就是三极

A发射结正偏,集电结反偏,0V为集电极,-10V为发射极,-9.3V为基极,VBE约等于0.7V,硅管共集电极放大电路.

1、先求出a图的输入电压：U*50*3000/(1000+50*3000)=5,解得U=5.0333V合上开关后输出电压为：5.0333*50*1500/（1000+50*1500）=4.934V,基

这个问题若是针对反馈判断,基极与发射极同相,与集电极反相.

图纸中的算法是采用戴维南等效来算的很多国外（美国）教材都这么写详细请参阅我空间http://hi.baidu.com/solank/blog/item/abe229c789c700169d163d20

如果是单级交流耦合的电路,就把本级电路上下翻转,然后把npn换成pnp即可；其他的计算等,同npn一样的；

三极管共射极电路放大信号是由于输入信号改变了基极电压从而影响三极管的工作状态实现放大的,假设三极管Ube为0.6v,基极偏置电压设置的为0.7v,当输入-0.2v信号时,Ub=0.7v-0.2v=0.

gg1:Rb=(12V-0.7V)/0.02mA=565KΩ因为Ic=0.02μA*100=2mA所以Rc=6V/2mA=3kΩ2:电压放大倍数A=0.6V/5mA=120倍带上负载后的U0=1/2*

选B,这道题就是考三极管放大的外部条件——集电极反偏,发射极正偏.所以集电极的电压应该是5V,基极电压应该为1.3V,发射极1V.因为基极与发射极之间还有一个PN结,压降应该为0.3V,为锗管.硅管为

晶体管各极的电压：NPN管Vc>Vb>Ve时晶体管就处于放大状态；晶体管处于放大状态时,集电结反偏,而发射结正偏.这就是晶体管处于放大工作状态时的特点.

基集电流放大后集电集的电流不会大于总电源的电流的.S8550的三极管基集偏置电阻一般为几十到几百千欧,发射集的偏置电阻一般为100欧到1千欧.具体的要看你的集电极电流Ic需要取多大.以基本共射放大器为

选B,这道题就是考三极管放大的外部条件--集电极反偏,发射极正偏.所以集电极的电压应该是5V,基极电压应该为1.3V,发射极1V.因为基极与发射极之间还有一个PN结,压降应该为0.3V,为锗管.硅管为