开关MOS功耗怎么算

1,MOS管损耗比三极管小2,MOS管为电压驱动型,驱动电路比较简单,三极管为电流驱动型3,MOS管的温度特性要比三极管好

内置MOS就是在IC内部已经有MOS管,使用时在外部不需要再加,外置MOS就是内部没有MOS管,只是一个MOS驱动输出,在外部一定要加MOS才可以使用.再问：你是做电源行业的吗再答：不是，我是做工程的

二者区别没有那么绝对,很多mos管既可以工作在线性状态,又可以工作在开关状态.只不过开关mos管为开关的工作方式做了优化,主要是能支持比较高的开关频率.

比较复杂,开关管的损耗的计算也非常复杂,只有经验公式没有具体的数学公式,开关管的损耗一方面分为导通损耗,因为开关管的导通是有电阻的,而且此电阻受温度影响也特别大,所以不好计算,而在开关管损耗中占最大比

MOS每次开关都有损耗,降低开关频率就是为了降低损耗再问：那最高频率最低频率受哪些因素的限制，由什么来决定再问：还有，那为什么空载时的频率最高呢？难道不怕MOS的消耗吗？再答：最高最低频率和变压器参数

可行的.S接VCCG接控制管脚,如果你是51类的单片机,最好在GS之间接一个上拉电阻.D就是受单片机控制了.高电平关断,低电平导通但你不能用它来控制单片机本身

看看晶闸管的相关知识,晶闸管的整流、调压电路知识大体来说就是通过控制MOS管的通断来削波(交流电是正弦波,比较220V的市电,电压从0值一直变化到最大值,让交流电通过MOS管,比如需要110V的电压输

MOSFET的开关作用是针对MOS特性得出的,MOS管输出特性曲线有可变电阻区、夹断区和恒流区,当在可变电阻区和夹断区内工作时,MOS管相当于一个电子开关.MOS管驱动电路跟MOS本身没有必然联系,因

几句话就能说懂.二极管不解释,三极管开关工作时工作在饱和状态,此时需要Uce

不考虑损耗时：12V20W的灯泡电流为：20/12=1.667A；220V侧的电流为20/220=0.091A考虑损耗时情况比较复杂,因为各类变压器的损耗都不一样,你可以接1只交流电流表在220V侧,

电路错了,PMOS你还D入S出?也就是说,S和D反了,调过来就对了.这个电路很常用,类似于PNP型三极管,对P三极管来说,E接电源入,C接控制输出,同理如上.再问：反过来测试可以工作，但是电压会从4V

有关电功和电功率的公式1）、电功W电功等于电流乘电压乘时间W=UIt（普式公式）电功等于电功率乘以时间W=Pt电功等于电荷乘电压W=Qt电功等于电流平方乘电阻乘时间W=I×IRt（纯电阻电路）电功等于

还有：F、开关频率G、开通、关断时间H、损耗（开通、关断能量）I、安装方式等.

这个是有计算公式的,根据输入输出电压、输出最大电流的大小选择合适的电感值,还与开关电源的工作频率、纹波电流大小等等有关,电感的选择与MOS管的开关频率没有直接关系,mos管也是根据开关电源的频率和其他

MOS管是电压控制型半导体器件,输入阻抗高,功耗低.而晶体管是电流控制型半导体器件器件,输入阻抗低,对前级电路的影响较大.两者都可以做开关使用,如果设计电路最好用MOS管,如果维修的话要按照原来的型号

A,B两个是或门,输入A端,不输入B端,另一种情况相反.然后你说的不一样,是什么不一样,是没有表示出S,D呢,还是没有把B表示出来.再问：之前看的mos管都是有s、d、b极的，这个图中没有，所以不知道

1、计算电路总功率,实际使用功率按总功率80％来计算,1KW约等于2A,就可以算出线路使用的总电流.2、计算短路保护电流整定值,按1.8-2.5的使用总电流计算.3、选接近的空气开关.4、验算空开能不

MOS管就是场效应管,20A的电流别无选择,只能场效应管.场效应管的开关频率一般可达300MHz,也就是微秒级别的,开关电路一般用到毫秒.提高关断速度,只要提高栅极的速度即可.你电路的控制端是单片机?

MOS管,没用过,不知道怎么用,不过,振荡的频率都是和RC的时间常数有关系的,和输出没有什么关系的吧既然你都是用的RC,那就是频率并不高了,干脆用一个运放就可以了.电路好找,资料也好找

干吗这么关注这些名词呢?Vgs和Id有一定的曲线关系,当MOS管可以驱动的电流大于负载需要的电流,电流不再增加,就是饱和了.就好比三极管的Ic和Ibe有比例关系.最终只要知道电压电流关系就可以,至于半