光刻工艺
来源:学生作业帮助网 编辑:作业帮 时间:2024/08/18 03:27:50
![光刻工艺](/uploads/image/f/2042499-3-9.jpg?t=%E5%85%89%E5%88%BB%E5%B7%A5%E8%89%BA)
丝印,撒金粉再问:能详细一点吗?谢谢再答:其实就是丝印,在丝印油墨里撒上金葱粉就可以了。。。金葱粉市场上有卖哦
光刻工艺主要步骤1.基片前处理为确保光刻胶能和晶圆表面很好粘贴,形成平滑且结合得很好的膜,必须进行表面准备,保持表面干燥且干净,2.涂光刻胶涂胶的目标是在晶圆表面建立薄的、均匀的,并且没有缺陷的光刻胶
我来打个比方吧:比如说你看集成电路板,上面不是有一条一条金属线么?那个线不是画上去的,是整个刷一层铜到塑料板上,然后上面刷一层蜡,然后你用刀子把没有导线的部分的蜡“刻”下去,然后把这块板子扔到腐蚀液里
工艺流程简介4.1备煤车间备煤系统的任务是为焦炉提供合格的原料煤.其范围是从精煤堆场开始至焦炉煤塔加煤层为止.包括原料煤的配煤、粉碎及输送等作业.备煤系统采用配煤仓电子自动配料秤配煤,先配煤后粉碎的工
1,HMDS是气相涂布在硅片表面,也就是硅片在HMDS的蒸汽中放置一会儿,温度约100-180度即可2,HMDS处理后需要冷却后涂胶,但等待时间不能太长,过长处理效果会变差,建议4小时内完成涂胶3,H
是光刻激光可刻蚀出来的图形最小距离.小于这个距离,就不能清晰的得到你想要的图像.其与光源波长及综合因子k1(基本是常数)正比,与镜头数值孔径的平方成反比.
指的是波长,i线是指365nm,g线是指436nm,高压汞灯中能量最高的两个谱线.波长越短,光刻分辨率越高.
这是有历史原因的.早期的光刻胶一般对黄光不敏感,而对其他波长的光比较敏感,因此cleanroom里面的照明一般都是黄光照明,避免了光辐照后可能产生酸或产生交联(和曝光的效果一样,只是剂量少一点);现在
上流式厌氧生物反应器,荷兰学者Lettinga等人在20世纪70年代初开发的.
紫外胶的现在基本都是使用405nm的激光器,焦点做到这么小的话应该需要做成单模光纤耦合的了,镜头主要是根据实际的光斑大小和作用距离来决定的再问:我们现在有款光纤耦合的激光器,光纤直径是2.9um的,现
Lastprocess或者pre-process就可以,上一个步骤.
1.wafer表面处理;2.旋涂光刻胶(包括抗反射层)3.前烘;4.曝光;5.后烘;6.显影,有的需要在显影前进行坚膜;7.刻蚀
焊接过程中的一整套技术规定.包括焊接方法、焊前准备、焊接材料、焊接设备、焊接顺序、焊接操作、工艺参数以及焊后热处理等.
好象只有7个步骤吧,看看这个吧,是PDF文档的,
涂胶,曝光,显影.涂胶又分HMDS,Coat,Softbake三步显影分PEB,Develop,Hardbake三步
能腐蚀二氧化硅的常见的有强碱,比如氢氧化钠,还有氢氟酸,氢氟酸的腐蚀效果比强碱好,速度快.至于能不能腐蚀光刻胶,要看具体是什么光刻胶,有的抗强碱腐蚀,有的能抗氢氟酸腐蚀.比如:一种正胶XAR-P310
镀锡的通俗解释就是将锡通过电流转移到你要的元器件上,槽液一般有两种体系;第一是氨基磺酸锡和硫酸体系第二是硫酸亚锡和硫酸体系操作时,通过电源供应器
在200MPa的高压和500℃的高温和催化剂作用下,N2+3H2====2NH3,经过压缩冷凝后,将余料在送回反应器进行反应,合成氨指由氮和氢在高温高压和催化剂存在下直接合成的氨.世界上的氨除少量从焦
摘要:对基于SU28胶的UV2LIGA技术进行了工艺优化,研究了光源波长和曝光时间对SU28胶成型的影响.结果表明,光刻胶表面线宽变化随曝光时间增加先减少后增加,有一个极小值;侧壁角度先增加后减少,有