三极管饱和时,集电结能0偏吗?

如果集电极接有负载电阻,饱和时基级电流仍然流向发射级,仍然是Ie＝Ib+Ic.如果集电极不接电源（通常作为衰减式电子开关用）时,集电极一般有隔直流电容,此时集电极没有静态电流.

这个东西不是嘴巴说的,而是从三极管的输出特性曲线上查出来的.三极管的特性曲线可以用专门的仪器测出来,虽然不同器件之间曲线有所不同,但总体上的规律与书上的图是一样的.你随便找本摸电书看看,查一下三极管的

Ic＜βIb,这就是三极管饱和的条件.

你很细心,确实你所看的教科书上说的不够准确,对于NPN三极管来说,Ube只要小于发射结的初始导通电压（对于硅管是0.5V~0.6V,对于锗管是0.2V）三极管就会处于截止区,这时候Ubc0.3V时,处

不考虑ICBO、ICEO等uA级的电流.IE和IC之间就差值就是IB.因此可以认为相等.不妨碍一般电路设计和应用.基本上也不影响低功耗设计.

饱和区是很大的,只要饱和时Ic要小于βIb,可以无限大的,当然也不能超出最大IC值,不然三极管会烧的.饱和情况下,集电极回路阻抗变化,电流变化是对的.因饱和时,三极管VCE只是相当于一个二极管,是有一

在三极管放大原理叙述中三极管放大c、b结必须必须处于反向,在实际使用中带负载的三极管随着be电压的增加ib、ic也随之加大而uce下降、当达到Uc=Ub时ib即使再增加ic也不再继续上升即所谓饱和,并

Ube=0.7V不是硅三极管饱和时的特征,其实硅三极管只要工作,无论饱和与否,Ube总是接近于0.7V.这个0.7V与圆周率π=3.14一样,基本上是一个常数.如果从内部原理解释,那就是pn结P区N区

①发射区的电子向基区运动           如图3-3所示.由于发射结外加正向电压,多子

这个要看具体类型的,一般来说,总的规律是,小功率三极管这个电压会小一些,但大功率三极管,这个电压不小.1、饱和是一种状态,有程度深浅之分,而衡量深浅的重要标志就是这个UCE.2、一般认为,临界饱和电压

三级管工作有俩种状态1放大,用于信号放大,一般用于小信号处理.2用于电路的开关,又称开关管主要用于产生直流电源,这时三级管工作在饱和状态.别灰心在电路中多理解就好了

看书

三极管饱和时：发射结和集电结都是正偏.但Ube≠Uce,应该是Ube≈Ubc,且Uce≈0.1V,更不可能Ubc=0.因为饱和时发射结必须流过一定的偏流,Ube不会小于0.65V.再问：但书上写着Ub

追问：不能一个PN节相当于一个二极管（举例:肖特基的0.3v左右其他的0.7-1.3那样）没有电势差PN结不能正偏!基极电流输入的大小能控制集电极输入的电流大小放大倍数90-120倍那样.饱和理当基极

看了你的介绍后,发现有一点问题.告诉你一个好方法吧.你去看晶体三极管的伏安曲线横坐标是ce电压纵坐标是集电极电流.自变量曲线族是基极电流.当基极电流为0是,一下的区域是截止区.当曲线要平的时候的转折点

饱和时候,电子从掺杂浓度最高的发射极出发,在电场力作用下到达基极,由于基极最薄,而集电结正偏,电子能很快越过基极和集电结,到达集电极形成电流,难度比放大状态更小.这种问题不要用手机问,100字不够的.

三极管工作在饱和态时,发射结正偏,集电极正偏.以NPN三极管为例,饱和态时,发射结正偏,使发射区的多数载流子自由电子越过发射结,部分与基区的空穴复合形成基极电流IB,而集电极正偏,使集电区的多数载流子

错!是饱和后导通电流就不再随输入电流的增加而增加了,在这之前也是导通的,但导通电流是随输入电流的增加而增加的,基本符合y=kx的曲线特征,所以近似的称为线性放大区,在线性放大区之下由于门坎电压的原因管

前面说的好像不对哦,说一下个人观点,首先纠正一下你理解存在错误,三极管工作在饱和区时UCE不是0v,是0.3v,Ic在特性曲线上也不是0,而是一个恒值,我们知道三极管IC只受到IB控制影响,所以IB既

高电位到低电位   就像水向低处流  不会倒流的  顶多会截止了