三极管饱和基极电位大于集电极电位

进入微观世界里面看,你会知道,PN结正偏的时候,电流很大,我们说正向导通.当PN结反偏时,电流很小,因为PN结的光热作用,会有“少子”通过.再看看三极管的结偏压,正常工作的情况下,集电结处于反偏,发射

因为Iceo=Icbo＋Icbo×β.简单地说,Icbo流入基极,等效于基极偏流,因此它会被放大β倍出现在集电极与发射极之间,所以Iceo是Icbo与“被放大β倍的Icbo”之和.

在EWB和orcad中没有9013等型号,而且9013的有不同的型号,放大倍数也不一样；当在仿真中,使用增益较小的三极管仿真时候,会出现放大状态的.因此用型号不同的三极管仿真是很难得出正确结论的.

基极电阻为10K~15K,或只要基极电压≥1V则三极管就饱和导通.

三极管是电流控制的元件,你输入的频率是交流电,中间有一个1UF的耦合电容,频率是100HZ的交流电,那么这个电容在这个频率下产生的阻抗就是1591欧如果是180HZ,那么,这的阻抗就变成了884欧了,

三极管电路中,反偏,正偏是指集电结和发射结.三极管电路中,IB、IC和IE,都是、并且永远是从上向下流动,无论处于什么状态.IB：VCC→R1→b→e→地；IC：VCC→R2→c→e→地；IE=IB+

没搞清楚你想问什么,集电极怎么?

直流电压吗.如果在基极有交流输入,那就可以了.只要交流信号超越了0.6v就可以强制导通.如果基极到低,有个电感,那也可以,交流信号会直接叠加,形成负偏压.

饱和时候,电子从掺杂浓度最高的发射极出发,在电场力作用下到达基极,由于基极最薄,而集电结正偏,电子能很快越过基极和集电结,到达集电极形成电流,难度比放大状态更小.这种问题不要用手机问,100字不够的.

虽然集电结是反偏的,虽然基极是开路的,但是,晶体管芯,是块半导体材料.半导体材料,又不是绝缘体,加上电压,就有微弱的电流,这很正常.从集电区向基区出现的“反向饱和电流Icbo”,在基极没有出路,就流向

教你一招,很好用的.画一条线,把你的3个电压值标上：-5.5-5.2-1----------------------------------------------从图中可以看出三个电极的电压相互关系

三极管的集电极饱和电流由电源电压和集电极电阻共同决定,即使电源电压不变,如果集电极电阻改变,饱和电流也会改变,当集电极电阻增大时,三极管的饱和电流减小,当集电极电阻减小时,三极管的饱和电流增大.

基极电压Vbe=0.7VIb=(15-0.7)/100k=43μA设三极管放大倍数为β,则Ic=43μA*βVce=15V-5k*43μ*βV=(15-0.215*β)V1.如果Vce>Vcb,则三极

1.上偏流电阻减小、下偏流不动,集电极电流上升直到进入饱和；上偏流电阻增大、下偏流不变,集电极电流减少,直到截止；固定上偏流电阻增加下偏流,集电极电流上升,减少下偏流电阻直到0值,集电极电流减少直到0

1.上偏流电阻减小、下偏流不动,集电极电流上升直到进入饱和;上偏流电阻增大、下偏流不变,集电极电流减少,直到截止;固定上偏流电阻增加下偏流,集电极电流上升,减少下偏流电阻直到0值,集电极电流减少直到0

因Iceo=Icbo+Icbo×β简单地说Icbo流入基极等效于基极偏流因此会被放大β倍出现集电极与发射极之间所IceoIcbo与被放大β倍Icbo之和

有几种情况需要说明NPN三极管符号如下：NPN硅管：当发射极电位比基极高0.3到0.7伏之间时,为放大状态；当发射极电位比基极高0.7伏及以上时,为饱和导通状态.NPN锗管：当发射极电位比基极高0.1

三极管基极与集电极电阻的作用就是给三极管提供基极电流.还有就是起到负反馈作用.

无电源电压和集电极负载电阻,如果是12V1K12／1k＝12mA,Ib=12mA/200=0.06mA,基极电流大于60微安可以饱和.数字表二极管档测量的就是pn结的正向压降（mV）,电阻档仍然是正向

测判三极管的口诀三极管的管型及管脚的判别是电子技术初学者的一项基本功,为了帮助读者迅速掌握测判方法,笔者总结出四句口诀：“三颠倒,找基极；PN结,定管型；顺箭头,偏转大；测不准,动嘴巴.”下面让我们逐