三极管基极电流IB的微小变化,

你说反了.三极管是用基极电流控制集电极电流,也就是如果当三极管处于放大区：当基极电流Ib有微小变化时,则集电极电流Ic会有比较明显的变化.用公式表示就是Ic=BIb（B表示贝塔,懒得打希腊字母了）,这

三极管基极电流Ib的微小变化,将会引起集电极电流IC（较大）变化,这说明三极管具有（放大）作用.

用D1403作一个开关电路,因不知它的基极额定电流值,无法算出基极电阻用多大的,用电源稳压管7805供电,或LM317调整到1.5V供电.

进入微观世界里面看,你会知道,PN结正偏的时候,电流很大,我们说正向导通.当PN结反偏时,电流很小,因为PN结的光热作用,会有“少子”通过.再看看三极管的结偏压,正常工作的情况下,集电结处于反偏,发射

我网上给你粘贴一段,你仔细读读就能了解晶体三极管（以下简称三极管）按材料分有两种：锗管和硅管.而每一种又有NPN和PNP两种结构形式,但使用最多的是硅NPN和锗PNP两种三极管,（其中,N表示在高纯度

分析了一下,iie2010说的确实有道理,你参考模电,自己分析一下就知道了

呵呵,比较难懂.看上去很抽象.但如果你明白了各个量之间的关系,又觉得原来如此简单的问题!因为发射极电流是基极电流的（1+β）倍,发射极电压=发射极电阻*发射极电流.发射极电压也就是发射极电阻上的电压.

s是saturate,饱和的意思放大态,IB一定要小于使三极管饱和的电流.

当是PNP型三极管时,发射极发射的载流子是空穴,发射到基区后,会与那里的多数载流子电子复合,由于外加电场的作用先前复合了的电子就会“脱离”空穴,而空穴又会被新的电子重新复合,这个过程不断地循环于是就行

PNP三极管导通条件是当给它通电时（通电如何通你知道么,就是E加电源电压,如5V,C极过一限流电阻接地）,那么如果你给控制端即B极一个低电平,此时就可以导通,导通电压（即CE间电压）至少小于0.2V,

必须有足够的电源.关键是集电极,应该有个合适的电阻Rc.这样,加大Ib即可使得Vce下降,降到1V、0.5V,都可以.这才能说：CE电压随基极电流变化,加大Ib可以使三极管饱和.

模电的问题.三极管是一种控制元件,主要用来控制电流的大小,以共发射极接法为例（信号从基极输入,从集电极输出,发射极接地）,当基极电压UB有一个微小的变化时,基极电流IB也会随之有一小的变化,受基极电流

在放大区时,Ube是不变的,恒定约为0.7V,三极管为流控型器件,ib变化不是三极管本身的原因,是外加电路引起的,常见的三极管的ib为μA级……

1.5mA/30uA=50

三极管的集电极饱和电流由电源电压和集电极电阻共同决定,即使电源电压不变,如果集电极电阻改变,饱和电流也会改变,当集电极电阻增大时,三极管的饱和电流减小,当集电极电阻减小时,三极管的饱和电流增大.

不管NPN或PNP其主要都是PN晶体接面的关系形成空乏区,这个基极就是掌控这两边空乏区开关当BE顺向导通,带动集极空乏区也流通,BE导通电流越大,空乏区越小,CE也因为B极电子活跃而相形导通作用文字这

原因主要有3个,一是环境温度低于测试穿透电流的规定温度,二是实际电压低于测试穿透电流的规定电压,三是此管质量上程.

用达林顿管或二只三极组成复合管,电压30V以内,电流500MA以内9013、9014都,1.5A以内用SS8050.

首先纠正你的说法：“当Ib增大时,Ue就减小.Ib减小,Ue增大”,不是Ue,而是Uce.是集电极到发射极的电压.你说的这种变化关系是有条件的：是集电极必须有一个负载电阻Rc,这种关系才成立.Rc两端

RB的作用是给基极提供静态工作点的电流Ib ,目的是让交流信号承载在这个Ib上跨过死区电压的.工作在放大状态的三极管的Ube应该、的确比死区电压（0.7V）大一点.因为静态计算没有输入信号,