三极管在截止状态时Ube Ib Uce约等于多少

是否能达到开关状态,不仅仅要看基极电流,还要看你所要接通的集电极电流大小以及晶体管的β,如果Ic/Ib小于晶体管的β,饱和了,反之不饱和.就像你用1.5mA基极电流,假设β为100,集电极电流被放大到

说简单一点,开关导通就相当是导线联通,这是最大电流的情况,当然仍何器件的驱动能力也没过与此,半导体器件有它的极限值,不可能真正的像一根导线.你只用把它想象成是受单片机控制的开关,就好比一般的开关是受人

在模拟电路中,三极管常用作放大状态；在数字电路中,三极管常用作开关状态.

驱动继电器时,三极管工作在饱和状态.只有三极管饱和导通时,CE结的压降接近0V,继电器线圈两端的电压为12V,继电器才可以正常吸合.

放大区:BE结正向偏置,CE结反向偏置截止区,BE结反向偏置或者零偏饱和区:BE结与CE结均正向偏置其中各个区域主要是根据输入输出特性曲线区分的!

1,对于NPN三极管,是基极,和集电极流入电流,发射机流出,所以Ib+Ic=Ie2,对于PNP则反之,发射机流入,基极和集电极流出所以Ie=Ib+Ic处于放大区（不好意思,把放大倍数30倍,看成50倍

三极管饱和时：发射结和集电结都是正偏.但Ube≠Uce,应该是Ube≈Ubc,且Uce≈0.1V,更不可能Ubc=0.因为饱和时发射结必须流过一定的偏流,Ube不会小于0.65V.再问：但书上写着Ub

这是我当年教电子技术时的一点心得,谈到三极管,初学的人很难理解,为了讲通讲透彻,我给学生做了一个形象的比喻：三极管就是一个资本家（全课堂哄然）,比如一个生产手机的资本家,生产一部手机,原材料100元,

看了你的介绍后,发现有一点问题.告诉你一个好方法吧.你去看晶体三极管的伏安曲线横坐标是ce电压纵坐标是集电极电流.自变量曲线族是基极电流.当基极电流为0是,一下的区域是截止区.当曲线要平的时候的转折点

饱和区与放大区临界点~

你应该说全面点,你说的应该是NPN管,并且有集电极负载电阻和电源电压是12v.如果是这样的话,答案d才正确!从你给出的条件来看,此三极管满足发射结正偏集电结反偏,满足三极管的放大状态,但是当条件满足时

以下以NPN管为例：三极管做开关应用的电路是：电源正极－－负载－－三极管C极－－三极管E极－－电源负,把三极管的C-E极之间看成是一个开关.三极管饱和时,C-E看成短路即开关通,截止时看成断路.要让三

粗略估计A放大B饱和CD截止,上次回答你好像没给分.看你这次的了再问：不是我没给分,我不是这专业的,我怕答错了,晚上就要交答案了,能否不要粗略?,能确定吗

看你npn的发射极和pnp的集电极接了什么嘛他们接了什么就是什么相当于把三极管拿掉不要去管什么高阻态再问：。。。。。，我需要高阻态，在截止状态下是否为高阻态喔~？再答：不是高阻态“高阻态输入下一级电路

主要是根据两个pn结的偏置条件来决定：发射结正偏,集电结反偏——放大状态；发射结正偏,集电结也正偏——饱和状态；发射结反偏,集电结也反偏——截止状态.这些状态之间的转换,可以通过输入电压或者相应的输入

E电压高于B的0.7V,显然,这是个工作在放大状态的硅材料NPN管.再问：意思是说判断PNP和NPN是看UB和UE大小么？还有工作在什么状态是看哪里呢？再答：硅管导通之后有0.7V压差，由此可以判断P

判断三极管工作在什么状态,要按照三个原则,第一,如果发射结反偏,管子截止；第二,发射结正偏,集电极反偏,管子在放大状态；第三,发射结和集电极均正偏则在饱和状态.至于击穿,并非三极管的工作状态,具体的击

这个问题不能一概而论取决於半导体的材料Si(0.5-0.7)Ge(0.2-0.3)还有其他化合物半导体当工作在截止区时Ic为微安或纳安级,必要时是必须考虑,一般忽略希望对你有所帮助

这个电路是错误的,错在2个输出管相互连接的E极与负载之间没有接入一个大容量隔直流电容.接入电容后,这是一个经典OTL电路.没有输出电容,在输入信号负半周时两个输出管都会截止,因而输出副半周会被削顶.再

在回答问题之前,需要先说说三极管的结构,这样方便理解.以NPN管为例,它是由三层半导体材料构成的（N型半导体材料+P型半导体材料+N型半导体材料）.在中间的P型半导体材料与两端的N型半导体材料之间,都