三极管中Ube增大时,Uce会减小

标注的电压,一般是对地（参考点）电压.UCEUBE电压就UC-UE;UB-UE

Ube=Ub-UeUbc=Ub-UcPNPUbc=-0.2-(-5)=4.8VUbe=-0.2-0=-0.2VNPNUbc=2-0=2VUbe=2-6=-4V(实际电路中,这个电压是不可能的,原因很简

温度上升会引起放大倍数β增大,故Ib不变时Ic减小.而Ube会随着环境温度的变化而变化,平常说的三极管的Ube为0.0.7V左右,这是室温在25°C时的测试值.经推导,三极管发射结正向压降的变化量是每

你看错了吧,当IB不变时UCE增大IC增大

这个东西不是嘴巴说的,而是从三极管的输出特性曲线上查出来的.三极管的特性曲线可以用专门的仪器测出来,虽然不同器件之间曲线有所不同,但总体上的规律与书上的图是一样的.你随便找本摸电书看看,查一下三极管的

NPN三极管截止时,be电压肯定小于导通电压,CE、BC之间相当于开路,单独看BE、BE相当于二极管,饱和时B、C、E之间相当于短路.再问：相当于导线？那怎么还有饱和压降Uces什么的呢？再答：相当于

取决于Rb,Rc,和三极管的放大倍数β假设Vcc增大至2倍Vcc则Ib增加了Vcc/Rb,集电极电流Ic增加了β*Vcc/Rb集电极电阻上压降增加了Rc*β*Vcc/Rb,但是同时Vcc增加到2×Vc

分析了一下,iie2010说的确实有道理,你参考模电,自己分析一下就知道了

请问当三极管刚刚饱和时,就是临界饱和状态,Uce=Ube,管压降Uces,Ubc=0,测量发射机和集电极之间电压当然是Uce咯.不会变的.再问：谢谢啊！可是共射级时Uces和Uce是不是一样呢？？再答

Ucc一般指双极型集成电路的电源电压,因为这类电路中用的是双极型三极管,cc就表示多个双极型三极管,对于cmos数字集成电路大都用Udd表示电源电压,因其内部用的是MOSFET,而Uce指的是三极管c

三极管饱和时Ic电流不随Ib变化,如果此时Ib继续增大,Uce减少,这是叫做过饱和.这时Ic已经达到最大,这个最大值是由三极管的负载电阻决定的.

Ube=0.7V不是硅三极管饱和时的特征,其实硅三极管只要工作,无论饱和与否,Ube总是接近于0.7V.这个0.7V与圆周率π=3.14一样,基本上是一个常数.如果从内部原理解释,那就是pn结P区N区

这个要看具体类型的,一般来说,总的规律是,小功率三极管这个电压会小一些,但大功率三极管,这个电压不小.1、饱和是一种状态,有程度深浅之分,而衡量深浅的重要标志就是这个UCE.2、一般认为,临界饱和电压

三级管工作有俩种状态1放大,用于信号放大,一般用于小信号处理.2用于电路的开关,又称开关管主要用于产生直流电源,这时三级管工作在饱和状态.别灰心在电路中多理解就好了

Uce=Vcc-Ic*Rc说的是三极管外电路的关系.因为VCC和地之间只有Rc和三极管,所以电阻上降的电压加上三极管ce之间降的电压必然等于VCC.而这时Ic的变化只能靠Ib变化,而三极管特性曲线的那

1、（锗管）饱和状态.2、截至状态.你的参数如果按正常的计算方法是缺参数的,比如B值（管子的电流放大倍数）没有给出,回流电压及电阻都没有给,有了这些东西才能进行理论分析.只能靠经验分析,尤其是第一个.

在放大区时,Ube是不变的,恒定约为0.7V,三极管为流控型器件,ib变化不是三极管本身的原因,是外加电路引起的,常见的三极管的ib为μA级……

三极管的放大作用指的是：输出的信号电流Ie比输入的信号电流Ib大.再答：对三极管来说欧姆定律不成立。再问：可是书上的电路分析都是用欧姆定律的再问：就像这个再问：再答：Ib就象开关那样，它的变化会引起I

导通状态UBE0.72说明有正向电压UCE0.3说明基射极内阻小为导通

一、判断三极管基极对于NPN型三极管,用黑表笔接某一个电极,红表笔分别接另外两个电极,若测量结果阻值都较小,交换表笔后测量结果阻值都较大,则可断定第一次测量中黑表笔所接电极为基极；如果测量结果阻值一大